Исследование ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель занятия:
1. Изучить принцип действия, основные характеристики и параметры электронных ключей на БТ.
2. Выполнить инженерный расчет насыщенного ключа на БТ.
3. С помощью пакета OrCAD провести анализ спроектированного ключа и исследовать влияние элементов схемы на его основные параметры.
Задание
1. Провести инженерный расчет элементов принципиальной схемы насыщенного ключа на БТ и его параметров. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1. Для всех вариантов задания одинаковы следующие исходные данные: длительность импульса t_и = 5 мкс, период повторения T = 10 мкс, минимальный уровень входного импульса U_вх зап = 0 В. Амплитуда напряжения входного импульса определяется величиной порогового напряжения единицы U_вх m = 1,1 * U_пор.
1.1 Согласно описанному алгоритму провести расчет сопротивления резисторов R_1, R_2 и R_к принципиальной схемы ключа (рисунок 1).
1.2 Пользуясь семействами входных и выходных ВАХ БТ, построить передаточную характеристику ключа U_вых = f(U_вх). Определить значения параметров U_пор, U_вых.
1.3 Рассчитать параметры быстродействия ключа t_вкл, t_зад выкл, t_сп, t_нр U.
1.4 Результаты расчета свести в таблицу.
